半导体衬底和器件的关系,华为半导体全产业链

IC和芯片的区别 2022-12-08 06:37 465 墨鱼

IC和芯片的区别

半导体衬底和器件的关系,华为半导体全产业链

衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也以碳化硅为衬底的产业链主要分为衬底、外延和器件三个环节。由于目前碳化硅芯片成本结构中60%-70%是衬底和外延片，其中衬底约占40%-50%, 因此掌握衬底工艺和产能的企业在竞争中具有优势。目前市场4

╯▂╰ 衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，有硅、碳化硅、蓝宝石、氮化硅等材料，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。外延(e晶圆和半导体衬底可以定义不同，也能是同一个材料只是功能不同，价格差距大；

2、电力电子领域，碳化硅适合中高压，650伏以上的电压等级；微波射频5G基站领域：氮化镓碳化硅是互补品的关系。3、衬底和器件是两个技术门槛高的环节，与国外差距明显；位错国外可以达衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以进行外延工艺加工生产外延片。外延(epitaxy)是指在经过切、磨、抛等仔细加

如果是衬底质量能够满足大功率MOSFET的生产要求，在产能方面，国内器件厂商可以打破高品质衬底的产能瓶颈，在成本方面，对国内厂商的SBD和MOSFET产品毛利率的提高均有很大的帮助。二、4靖士宽任爱青；我半导体发光器件外延工艺与管芯技术获突破[N];中国电子报；2002年5记者肖国强；浙大研制成功12英寸掺氮硅单晶[N];浙江日报；2003年6李积和；大直径硅单晶材料

╯＾╰〉衬底与外延片晶圆片的关系：晶圆制备包括衬底制备和外延工艺两大环节。衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而衬底（substrate）是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可

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