掺杂浓度单位,硅原子浓度

掺杂浓度单位,硅原子浓度

单位：, m^{-3}, ppm 符号：Ndop 激光增益介质的一个重要参数，如掺稀土的激光晶体或玻璃(可能是光纤的形式),是掺杂浓度。掺杂浓度可以通过不同的方式进行定量规定：掺杂物的摩和单位体积的受主总数(受主掺杂浓度) N A 是可比的，当N D 和N A 是可比的但不相等时，半导体材料称为补偿半导体。二、电中性在半导体内，存在：电子(-)、空穴(+)、电离施主(+)、电

单位经常是原子百分数。掺杂浓度在10 cm以上的半导体在室温下通常就会被视为是一个“简并半导体”(degenerated semiconductor)。重掺杂的半导体中，掺杂物和半导体掺杂浓度指的是在半导体材料中掺入的杂质离子或掺入的原子总数与半导体的体积的比值。通常用cm^-3为单位表示。二、合适的掺杂浓度是多少？掺杂浓度对半

浓度单位采用的是ppm（parts per million，百万分之一）或ppb（parts per billion，十亿分之一）。例如，硅片中杂质浓度为1万ppm，即其中每一百万个原子（或离子中在半导体制造中，有些工序会涉及到到极高精度和极低杂质水平的情况，常会用到ppm、ppb和ppt来表示某种物质的浓度。例如：半导体晶体生长中使用的原料，砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)的杂质