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P75NF75是一款N沟道场效应管(N-channel MOSFET)。以下是P75NF75场效应管的主要参数:- 极性:N沟道- 封装类型:TO-220 - 最大漏极电压(VDS):75V - 最大漏极电流(ID):75A - 最场效应MOS管P75NF75参数产品简介PD最大耗散功率:300WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:75VRDS(ON)Ω内阻:0.011ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)
ˋωˊ p75nf75场效应管参数p75nf75场效应管参数p-n结型:P=N(即PN=0.7)。企业名片特性:输入电阻高,电流大;输出阻抗低、噪声小;开关速度快。f-n结型:P=0.95N(即PN=0.95);F=1购买P75NF75 产品说明STP75NF75参数:75A,75V,N沟道场效应管MOSFETS 产品种类:MOSFET 制造商:STMicroelectronics RoHS: 符合RoHS 详细信息技术:Si 安装风格:Through Hole 封装/ 箱体:TO-220
P75NF75场效应管参数P75NF75是一款N沟道MOS场效应管,主要用于低压、高速开关和功率放大电路。下面我们来看一下P75NF75场效应管的主要参数。最大漏极耐压:75V P75NF75属于晶体管类别,参数是:电流75A 耐压75V,采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律,前面数字代表电流,后面数字代表电压。直流参数饱和漏极电
75NF75场效应管是一种N沟道MOSFET器件,具有以下参数:1. 额定电压(Vds):75伏2. 最大电流(Id):75安培3. 导通电阻(Rds(on)):24毫欧4. 栅极-源极耐压(Vgs):±20伏5. 典型延P75NF75属于晶体管类别,参数是:电流75A 耐压75V,采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律,前面数字代
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