第三代半导体碳化硅衬底,sic第三代半导体

第三代半导体碳化硅衬底,sic第三代半导体

第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，与前两代半导体材料相比最大的优势是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件。碳化硅材料性公司于2010年成立，是一家国内领先的宽禁带半导体(第三代半导体)衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售。公司不仅在2019年和2020年跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三，还成功掌

在半导体材料领域，第一代半导体为“硅”(Si),第二代半导体为“砷化镓”(GaAs),第三代半导体(又称“宽能隙半导体”，WBG)是“碳化硅”(SiC)和“氮化镓”(GaN)。宽禁带半导体中从技术角度而言，我国企业纷纷布局第三代半导体碳化硅领域，全国碳化硅衬底产能也逐渐攀升，随着碳化硅衬底成本逐年降低，有望进一步促进三代半市场发展。国产碳化硅技术取得

≡(▔﹏▔)≡ 经过8年黎明前的黑暗时刻，在掌握造出第三代半导体材料碳化硅衬底的主动权上，同光晶体踏出了胜利的步伐。同光晶体副总经理王巍回忆道，为了抓住第三代半导体材料弯道超车的机会，其创始人郑清超早在碳化硅性能优异，先进生产力代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半

第三代半导体---碳化硅(1) 地球上几乎所有的能源都能转换成电力，而电能用于特定目的都需要功率调节和转换，目前主要调节功率的效率是由半导体器件性能所决定。功率半导体主要用于电碳化硅是第三代半导体。半绝缘型碳化硅主要应用在通讯等领域，在导电型衬底上生长SiC衬底制作的功率器件可以应用在新能源汽车、电网、光伏逆变器、轨道交通等高

也是国内率先实现第三代半导体材料碳化硅单晶衬底量产的高科技企业之一，先后承担了国家“863”计划、国家重点研发计划、国家技术改造工程等重大专项，承担河北省级研究课题10余项第三代半导体材料中，受技术与⼯艺⽔平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应⽤仍⾯临挑战，其应⽤主要是以蓝宝⽯、硅晶⽚或碳化硅晶⽚为衬底，通过外延⽣长氮化镓以制造氮化