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IRFP4368PBF中文参数通道类型N晶体管配置单最大连续漏极电流350 A最大栅源电压-20 V、20 V 最大漏源电压75 V每片芯片元件数目1 封装类型TO-247AC系列HEXFET 安装类型通孔宽度5.31mm 基本参数：电子零件型号：IRFP4368PBF 原始制造厂商：英飞凌(Infineon) 技术标准参数：MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC 产品应用分类：晶体管- FET,MOSFET - 单个点击此处查询IRFP4368PBF的技术规格手

⊙▽⊙ 型号：IRFP4368PbF 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):520 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】350 A 漏极和源极电压(VDSS):75 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.00185 Ω 三、场效应管参数1.静态参数(1)IDSS:零偏压下最大漏电流。2)VGS(off):栅源截止电压，即当栅极电压为0时，漏极电流为IDSS时的源极漏极电压。3)Vp:钳位电压，即当漏极电流为

∩﹏∩ 指标参数ParametricsIRFP4368 Budgetary Price €/1k 3.52 ID (@25°C) max 350 A Mounting THT Operating Temperature min max -55 °C 175 °C Ptot max 520 W Packa也可以用TFP290N08代换，主要参数是290A 80V ，TO247 封装，也是逆变器常用大功率场效应管。也可以用更大参数的MXP

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