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p沟道场效应管作用 |
P沟道场效应管,P沟道场效应管作为开关
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当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极时(见图1b),由于电场的作用,此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,是的电子聚集在两个N沟道之间的P型原理图:驱动电路:电路设计思路如下,采用一个p沟道场效应管和一个mos管作为开关电源的两个输入端。企业名片当输入电压为3.3v时,mos管的导通电阻很大;而当输入电压为5v以上(或
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