高阻pn结耗尽层宽度大小,pn结

高阻pn结耗尽层宽度大小,pn结

ゃōゃ PN结耗尽层的宽度是由PN结两侧的掺杂浓度和PN结的反向偏压决定的。当PN结处于正向偏压状态时，耗尽层会变窄，电子和空穴可以自由地通过PN结，从而形成电流。当PN结处于反向偏压3.1半导体的基本知识3.3半导体二极管3.4二极管基本电路及其分析方法3.5特殊二极管3.2PN结的形成及特性3.1半导体的基本知识3.1.1半导体材料3.1.2半导体的共价键结构3.1.3本征半导体3

(inv)  2B  2kT q ln NA ni  表面耗尽层最大宽度为：同时，Wm  2s (2B )  2  skT ln NA ni  qN A qN A 2023/6/3掺杂浓度高，PN结宽度窄一些，因为PN结窄，内电场大，可以有效阻止多子的扩散运动。如果PN结宽的话，内

∪▂∪ 耗尽层是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。在PN结中，由于载流子浓度的梯度耗尽层宽度向低掺杂浓度方向扩展高阻区外加电压几乎全部落在空间电荷区，将产生强电场电子和空穴都是相应区域的少子，且高于平衡值，是非平衡少数载流子进入半导体非平衡载流子是外

＞﹏＜ PN结耗尽区宽度的计算方法是在零偏状态下，根据PN结材料性质来确定的。对于晶体管器件，耗尽区宽度小且一致是非常有益的，因为它使局部场集中在耗尽区域，从而提高了器件的转换效耗尽层是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。在PN结中，

电子和空穴很快就复合了，耗尽层也就窄了。“齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电场”，前面已经说过高掺杂，耗尽层宽度（d）小，将其看成平行板耗尽层宽度取决于杂质离子的浓度；在掺杂半导体中，多数载流子由杂质离子提供，少数载流子由本征激发(形成电子空穴对),故而，在高掺杂浓度下，多数载流子的扩散运