11N501场效应管参数代换,irfp250场效应管参数代换

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10N50场效应管参数如下：极性：NPN Drain-Source Voltage 漏源电压Vds:500V Gate-Source Voltage 栅源电压Vgs:±30V Continuous Drain Current 漏极电流Id Tc=25℃:10A Continuous 1、常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT )1200V/25A/TO3P(电磁炉用)FQA27N25(MOSFET )250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25(MOSFET )250V/40A/280W/0.051 Q /TO

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