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1、常用场效应管参数及替代FQA27N25(MOSFET )250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25(MOSFET )250V/40A/280W/0.051 Q /TO3P IRFP264FQA55N25(MOSFET )250V/55A/310W/0常用场效应管技术参数与代换，场效应管代换大全，场效应管代换表，场效应管代换，场效应管代换原则，9971代换场效应管，场效应管k2195的代换，k4145场效应管的代换，双

1.型号后面有“P)”者为P沟道场效应管，型号后面有“※”号者为NPN型IGBT管，“※”号后有“P)”者为PNP型IGBT管。2.表中VDS(VCE指IGBT管，下同)表示源极(集电极与发射极)之间最高常用场效应管参数及代换常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280

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＋ω＋ 型号关键参数备注栏中“”表示带阻尼，“”表示不带阻尼2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz 2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz 2N130 ,300型号：P3010BV 类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：10V 工作电流：2A

∩ω∩ 场效应管IRF624STRP1825AS 深圳市金城微零件有限公司15年月均发货速度：暂无记录广东深圳市龙岗区¥0.55 鹏顺微电子P182S 液晶高压板电源TO-263 实物现货可直拍型号P1825ASRHRP30120 (快恢复二极管) 1200V/30A/125W/TO220单DSEI20-10A RHRG30120 (快恢复二极管) 1200V/30A/T03P SSH45N20B (MOSFET) 200V/45A/TO3P IRFP260 FGL40N15