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IRFI系列场效应管参数代换，IRFI系列POWER MOSFET 功率场效应管型号参数查询及代换带有"-"号的参数为P沟道场效应管，没注明的均为N沟道场效应管.型号Drain-to-S场效应管代换.txt 常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND（IGBT）1200V/25A//TO3P（电磁炉用）FQA27N25（MOSFET）250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25（MOSFET）250V/

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常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT) 1200V/25A//TO3P (电磁炉用) FQA27N25 (MOSFET) 250V/27A/TO3P IRFP254 FQA40N25 (MOSFET) 250V/40A/280W/0.0511、常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT )1200V/25A/TO3P(电磁炉用)FQA27N25(MOSFET )250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25(MOSFET )250V/40A/280W/0.051 Q /TO

1.型号后面有“P)”者为P沟道场效应管，型号后面有“※”号者为NPN型IGBT管，“※”号后有“P)”者为PNP型IGBT管。2.表中VDS(VCE指IGBT管，下同)表示源极(集电极与发射极)之间最高常用场效应管(25N120等)参数及代换，常用场效应管25N120等参数及代换FGA25N120ANDIGBT1200V25ATO3P电磁炉用FQA27N25MOSFET250V27ATO3PIRFP254FQA40N25MOSFET250

IRF系列场效应管参数代换，型号厂家用途构造沟道方式漏源极电压(V) 区分漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式IRF9Z10IRP-50-4.720TO-220ABIRF9Z12IRP-50-42场效应管参数型号封装材料用途参数KIA7N60H TO-263 NMOS 开关电源7A/600V KIA7N65H TO-263 NMOS 开关电源7A/650V KIA840S TO-263 NMOS 安定器8A/500V KIA4N60H TO-262 NMOS 充电器4A/60