wpe效应,二级效应STI的原理

wpe效应,二级效应STI的原理

STI效应的计算和WPE效应随着井区扩大而可以无限减小不同，由于STI存在于每个器件周围，没有“理想”的无STI效应器件。计算STI效应的时候首先要设定一个基准器件集成电路中的WPE和LOD效应在这里把看到的关于WPE 和LOD 效应的内容小结一下WPE, 也即Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图：集成电路制造过程中，在对阱作离子注

其中，WPE效应就是阱临近效应，指器件靠近阱(Well)引起的参数发生偏离，从而影响器件的性能。在普通的单阱工艺中，只有PMOS有此效应；在双阱工艺中，PMOS和NMOS都有此效应。WPE参数主要WPE(WinsockPacketEditor)它的中文名称是：网络封包编辑器在大多数的编程工wpe效应更多下载资源、学习资料请访问CSDN文库频道.

⊙﹏⊙‖∣° WPE效应根本的原因是：植入的离子在光阻材料上发生了散射，在光阻边缘，散射离子进入到阱硅表面，影响了边缘区域的掺杂浓度。考虑WPE的影响主要表现在三个方面：阈值电压、迁移率及体分析一个电路因WPE效应挂掉的案例今天分享一个后仿真发现电路fail掉的一个案例。首先简单介绍一下什么是WPE效应。工艺中，有一些物理效应，这些物理效应在以前的老工艺中，比如180n

可以看出布局1比布局2有优势，因为相同的2.5V的阱可以进行合并，进而形成一个大的阱，受阱边界影响的MOS管的个数就会减少，WPE效应降低了，甚至几乎没有什么影响了。注意关键器件的布局，尽量将关键器WPE效应根本的原因是：植入的离子在光阻材料上发生了散射，在光阻边缘，散射离子进入到阱硅表面，影响了边缘区域的掺杂浓度。考虑WPE的影响主要表现在三个方面：阈值电压、迁移

WPE效应主要影响SPICE的Well Proximity Effect Model,WPE对MOS特性的影响主要体现在阈值电压、迁移率和体效应上。WPE效应与FET和MASK边缘距离强相关，BSIM4中WPE效应影响的阈值电压但还是有一点不明白：按道理讲应该pmos才有wpe效应，Nmos没有well，所以nmos应该没有wpe效应吧？