多晶硅生长过程

单晶硅的生长方法 2023-10-14 11:36 557 墨鱼

单晶硅的生长方法

多晶硅生长过程

5、多晶硅棒生长：在晶棒表面的硅液逐渐冷却凝固，形成多晶硅棒。此时，硅原子在多个晶界上排列，形成多晶结构。6、棒坯切割：将多晶硅棒根据需要的尺寸和形状，通多晶硅铸锭的晶体生长过程多晶硅铸锭的晶体生长过程在真空熔炼过后，还要经过一个降温稳定，就进入定向凝固阶段。这个过程既是多晶硅的晶体生长过程，也能够对回收

(二)晶体生长过程定向凝固分为以下四个阶段，包括：晶胚形成、多晶生长、顶部收顶、退火冷却。晶胚形成在熔炼过后，要把硅溶液的温度降低到1440℃左右，并保持一段时间，然后，这样在铸锭多晶硅过程中，形成了硅中的氧含量。这样在铸锭多晶硅过程中，从底部到头部，从边缘到中心，氧浓度逐渐降低，从底部到头部，从边缘到中心，氧浓度逐渐降低，虽然低于溶解度的间隙

如上所述，伴随着由熔液中提拉单晶体而进行的连续的固化过程称为晶体生长（crystal growth）。注意其生长方向是朝下而非朝上。区熔法制作单晶硅：在CZ法中，在含有所需要杂质的添加剂的氩气中，通多晶硅生产全过程1.2.1氢气制备与净化工序在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。电解制得的氢气经过冷却、分离液体后，进入除氧器，在催化剂的作用下，氢气中的微量氧气与氢气反应

数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。剩余部分同Н₂，НСl，SiНСl₃在真空熔炼过后，还要经过一个降温稳定，就进入定向凝固阶段。这个过程既是多晶硅的晶体生长过程，也能够对回收料和冶金法多晶硅料中含有的杂质进行进一步的提纯

∪＾∪ 多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多多晶硅生产工艺流程，多晶硅最主要的工艺包括，三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化(有的采用氯氢化),精馏，还原，尾气回收，还有一些小的主项，制氢、氯化氢合成、废气

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