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半导体单晶硅片的发展历程 |
单晶硅用什么方法生产的,单晶硅生产新方法
得到高纯度的多晶硅后,还要在单晶炉中熔炼成单晶硅,以后切片后供集成电路制造等用。可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和主要用做半导体的原料,是制做单晶硅的主要原料,可作各种晶体管、整流二极管、可控硅、太阳能电池、集成电路、电子计算机芯片以及红外探测器等。多晶硅是制备单晶硅的唯一原
单晶硅的主要制备方法比较硅单晶的制备方法:按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)法与有坩埚直拉(CZ)法。区熔拉制的单晶不受坩埚污染,纯度较高,适于生产电阻率高1. 帕拉法(Czochralski法)这是目前产量最大的方法。将高纯硅原料融化于石英坩埚中,温度约摄氏1420度。使用带有取向的种子晶,缓慢地向上提拉成长单晶硅锭。提拉速率
直拉悬浮法生产单晶硅单晶硅是非常重要的晶体硅材料,根据晶体生长方式的不同,可以分为区熔单晶硅和直拉单晶硅。区熔单晶硅是利用悬浮区域熔炼(float zone)的目前单晶硅的主要生产方法有:溶解法、离子交换法、胶溶法、分散法等。1、硅溶解法:采用无机或有机碱作催化剂,以单质硅与纯水反应来制备硅溶胶的方法称为硅溶解
单晶硅是目前生产太阳能电池、集成电路等高端产品的材料之一。单晶硅的生产工艺方法可以分为以下几个步骤:1.熔制纯度较高的硅块首先需要使用高纯度的硅粉和其他原材料熔化,制成硅单晶硅生产制备方法大全单晶硅晶片及单晶硅的制造方法本发明的单晶硅晶片及单晶硅的制造方法,是属于切克劳斯基法(CZ法)生长单晶硅晶片,其特
单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的,制备单晶硅的方法有直拉法(CZ 法)、区熔法(FZ 法)和外延法,其中直拉法和区熔法用于制备单晶硅棒材。区熔硅单另一种常见的制备方法是利用激光刻蚀法制备单晶硅薄膜。1)硅源以石英砂(二氧化硅)为主,硅和氧元素以共价键相连。所以有必要把氧元素与二氧化硅分离开来,换而
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