7纳米光刻机的研发历程,中国有光刻机了吗

7纳米光刻机的研发历程,中国有光刻机了吗

iPhone 6 ，20纳米；iPhone 7 是16纳米；iPhone X 是10纳米；iPhone 11，7纳米；iPhone 12，5纳米；iPhone 13，5纳米；从目前已知的确切的信息可以知道，国产光刻机是是90nm制程，从7nm到5nm芯片：中国国产光刻机的突破，从告别自嗨开始！现在说到光刻机，我国就有很多企业都在关注，虽然国际方面因为美国的关系，不敢进口给我国高端的机型，但是对自主研发这块

总结来说，中国光刻机研制起于70年代后期，初期型号为接触式或接近式光刻机，85年完成第一台分步光刻机，此后技术一直在推进，各个时间点均有代表性成果，并未出现所在7纳米光刻机中，光源发出的紫外线光通过透镜系统聚焦到掩模上，然后通过掩模上的图案将光投影到硅片上，形成芯片的图案。这个过程需要高精度的光学系统和掩模制造技术的支持，

1985年，机电部45所研制出了分步光刻机样机，通过电子部技术鉴定，认为达到美国4800DSW的水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。2、“而国外的先进水平已经达到了7纳米，正因如此，国内晶圆厂所需的高端光刻机完全依赖进口。2020-03-18 10:52:11 光刻机是谁发明的1822年法国人Nicephore niepce(尼埃普斯)发明了光刻

ˋ＾ˊ〉-# 1961年，美国制造了第一台接触式光刻机；1966年左右，中国也制造出了第一台接触式光刻机，只落后于美国5年左右。直到1985年，中电科45所研发出了分布式投影光刻机，性能与美国GCA公目前光刻机主要的技术难点主要存在于浸没式曝光与多重曝光等，我国现有的这一款DUV光刻机理论上在突破这些技术关卡之后是有能力达到10nm甚至7nm制程的。目前我国也在加紧公关研发。

富士康自身也没有这个能力研发光刻机，富士康只是一个代工厂，自己并不算科技公司，富士康完全不具备研发光刻机的能力，更不用说7纳米级别的了，全世界只有荷兰一家，而且这家公司并不相对于157纳米光刻技术，193纳米浸没式光刻技术不需要研发新的掩模、透镜和光刻胶材料，193纳米漫没式光刻机甚至可以保留现有193纳米干式光刻机的大部分组件，仅需改进设计部分分系统