irfp250n参数说明,irfp250n是什么

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IRFP250N IRFP250NPbF HEXFET ® Power MOSFET 2/11/04 Parameter Max.Units I D @ T C = 25°C Continuous Drain Current, V GS @ 10V 30I D @ T C = 100°C ContinuouInfineon(英飞凌)IRFP250N参数(TO-247AC N-Channel 200V 30A 75mΩ,封装：TO-247),IRFP250N中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载(8页，181KB),您可以在IRFP250

＞＾＜ 型号：IRFP250N 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):214 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】30 A 漏极和源极电压(VDSS):200 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.075 Ω 封装：TIRFP250N中文资料功能介紹中文： 功能介紹英文：HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.075 Ohm, ID = 30A 品牌：IR 封装：引脚：功能介紹中文： 功能介紹英文

全国服务热线：13534146615 首页»壹芯微产品中心»三极管»插件三极管»插件三极管IRFP250NPBF参数PD最大耗散功率：214WID最大漏源电流：30AV(BR)DSS漏源击穿电压：200VRDS(ON)IRFP250N是一款N沟道MOSFET器件，具有极低的导通电阻和高的开关速度，常用于功率放大器、开关电源、DC-DC变换器和PWM调光等领域。该器件最大耐压为200V，最大漏极

指标参数ParametricsIRFP250N Budgetary Price €/1k 0.97 ID (@25°C) max 30 A Mounting THT Operating Temperature min max -55 °C 175 °C Ptot ma引线末端的一段，通过软钎焊使这一段与印制板上的焊盘共同形成焊点。引脚可划分为脚跟（bottom）、脚趾（toe）、脚