12n50e参数及代换,13a60d参数

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FMC20N50ES：ID20A（持续）、80A（峰值）、耐压500V，耗散功率270W，Rd(on)0.27欧。N沟道MOSFET 20N60：ID20A（持续）、80A（峰值）、耐压600V，耗散功率300W，Rd(输入型号查参数输入参数查型号型号：IPD70R360P7S(70S360P7) 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):【管壳温度(Tc)=25 ℃】59 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=100 ℃】7.5 A 漏

百度爱采购为您找到154条最新的led电源mos管产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息，您还可以免费查询、发布询价信息等。12n50e场效应管参数：1200V、50A、功率200w，频率3KHz，可以用12N60C替换。场效应晶体管（Field Effect Transistor

您好，您的问题我已经看到了，正在整理答案，请稍等一会儿哦~可以代替的，都是12A的电流，电压落有差异，前者是500伏，后面是650伏完全可以，损坏应该有其他问题。参数：12N60C 12A/600V 12N50E 12A/500V

应该可以，我曾用一只IRF840代换TCL25吋彩电的开关管，多年了一直正常使用，IRF840的参数是：500V 8A 12N50是N沟、500V 、12A 、120W的功率放大场效应管，用12N60代换完全可以。

∪△∪ 12n50e场效应管参数：1200V、50A、功率200w,频率3KHz。12n65kl场效应管参数12n65kl场效应管参数正向电压(VF):1.1V 芯片尺寸：46MIL 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流虽然都是N沟道场效应管，但参数差别大，不能互代，12N50是500V12A0.5Ω，20N60是600V20A0.45Ω，具体参数参考下图：