自然拼读 六阶成功法 第一阶:建立字母与字母自然发音之间的直接联系。 第二阶:能够成功拼读元音 + 辅音(辅音 + 元音)。如: c-a ca a-t at 第三阶:能够成功拼读辅音 + 元音+ ...
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irfp260m资料详细参数 |
irfp260n参数引脚,irfp460和460a有什么区别
⊙﹏⊙ 你自己看一下datasheet,在封装那部分,由引脚定义。字朝自己,脚向下。从左到右,GDS,另外,背面还有金属的也是引脚,这个与D连一起。你可以用万用表通断档测一型号:IRFP260N 类型:N沟道场效应管耗散功率(PD):300 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】50 A 漏极和源极电压(VDSS):200 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.04 Ω 封装:TO
ˇ﹏ˇ 引脚数目3最高工作温度+175 °C 最大漏源电阻值40 mΩ长度15.9mm 通道模式增强高度20.3mm 最大栅阈值电压4V晶体管材料Si 最小栅阈值电压2V典型栅极电荷@Vgs234 nC @ 10 V 最大功率耗散300 W系列HEIRFP260参数详情MOS管IRFP260封装引脚图MOS管IRFP260规格书查看及下载规格书,请点击下图。联系方式:邹先生联系电话:0755-83888366-8022 手机:18123972950 QQ:2880195519 联系地址:深圳市福
IRFP260N中文资料功能介紹中文: 功能介紹英文:HEXFET power MOSFET. VDSS = 200 V, RDS(on) = 0.04 Ohm, ID = 50 A 品牌:IR 封装:引脚:功能介紹中文: 功能介紹英文技术参数额定电压(DC) 200 V 额定电流50.0 A 漏源极电阻40.0 mΩ 极性N-Channel 耗散功率300 W 产品系列IRFP260N 漏源极电压(Vds) 200 V 漏源击穿电压200 V 栅源击穿电压
导通电阻IRFP250最大为0.085欧,250N为0.075欧。4、工作产生的温度不同IRFP260和260N最核心的差别是,后面的N代表的是温度特性,不带N的正常工作范围是-55-150摄氏度,带N的可以达到-引脚数3 封装TO-247 外形尺寸封装TO-247 物理参数材质Silicon 其他产品生命周期Active 包装方式Bulk 符合标准RoHS标准Non-Compliant 含铅标准Cont
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