拉单晶引晶的目的,拉晶快速引晶找温度

拉晶工艺流程 2023-10-16 23:59 892 墨鱼

拉晶工艺流程

拉单晶引晶的目的,拉晶快速引晶找温度

清炉目的：保持炉内洁净，有利于拉晶，提高晶体指标。引晶目的：籽晶在降离液面附近时，由于受到热冲击的作用，会产生位错，通过用引晶的方法使位错产生滑移至引出，晶体的外表面直至CR:俗称埚转，方向及大小由触摸屏控制，正常拉晶时CR为8r/min；在引晶、化料时可调整其快慢以尽快将温度调整到合适值；

要求：1.在两个工作日内必须熟练掌握四个速度的控制；

ˇωˇ (5) 缩颈：在直拉法制备单晶硅的过程中，籽晶与熔融态原料之间的温度差一方面驱动晶体的生长，但另一方面也会引起热冲击进而导致晶体内位错的产生。缩颈的存在可以有效集中和消除位错，3.直拉单晶包括稳温、引晶、扩肩、转肩、等径、收尾工序，收尾作为单晶生长完成前的最后一个工步，主要目的是避免单晶生长完成脱离硅溶液时因热应力过大生成较多的晶体位错(位错单晶

˙﹏˙ 引晶后放肩回合然后管子才可以拉出来为了保证单晶硅的纯度和完整性，需要通过引晶的方式来培养单晶。引晶是指将小的单晶硅晶体通过液态硅溶液培养，以便形成大的单晶硅晶体。二、单晶硅引晶的原理

目的：主要是为了排除位错和缺陷，使后面的晶体能够较好的生长。引晶是拉晶里面的一个步骤，一般拉晶是指单晶生长的单晶坩埚拉速晶体工艺流程电阻率单晶炉操作工艺流程作业准备热态检漏取单晶和籽晶石墨件取出冷却真空过滤器清洗真空泵油检查更换石墨件清洗单晶炉室清洗石墨

戈登.K.蒂尔，借鉴CZ法的原理，把一个小小的“晶籽”—锗晶体悬浮在熔融锗的坩埚中，然后慢慢地、慢慢地“拉出来”，最终形成一个又长又窄的锗单晶。单晶体的生成后，贝尔实验室内部是引晶的目的是排除固液接触时产生的位错扩肩放肩：引晶完成后，需按照设定的工艺参数将直径放大到所需的晶体直径转肩：晶体直径达到规定要求后，调节拉速和温度，进行转肩，晶体进入等

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