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P75N02LDG中文资料型号：P75N02LD 类型：N沟道场效应管耗散功率(PD):65 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】75 A 漏极和源极电压(VDSS):25 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.007 Ω 封装：TO-

首页»壹芯微产品中心»三极管»场效应管»场效应MOS管P75N02LDG参数PD最大耗散功率：60WID最大漏源电流：75AV(BR)DSS漏源击穿电压：25VRDS(ON)Ω内阻：0.007ΩVRDS(ON)ld通态电贴片MOS管P75N02LDG 75N02 25V 75A TO252 N沟主板常用场效应管深圳市宝安区西乡金有利电子经营部8年月均发货速度：暂无记录广东汕头市潮南区¥0.35 P75N02LDG 75N02 贴片TO-2

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∩▂∩ P D (W) TO-252/251 N-Channel P5002CDG P1402CDG P45N02LDG P60N03LDG P60N03LRG P70N02LDG P70N02LR P75N02LDG P75N02LR P75N02LI P0403BDG P0603BDG P0903BDG P0903BI类似说明- P75N02LDG 制造商部件名数据表功能描述Fairchild SemiconductorNDP6020 376Kb/7PN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor NDP6050L 66K