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型号:14N25 类型:N沟道场效应管耗散功率(PD):100 W 漏极电流(ID):【管壳温度(Tc)=25 ℃】14 A 漏极和源极电压(VDSS):250 V 漏极和源极通态电阻(RDS(on)):0.25 Ω 封装:TO-221、常用场效应管参数及替代FGA25N120AND (IGBT )1200V/25A/TO3P(电磁炉用)FQA27N25(MOSFET )250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25(MOSFET )250V/40A/280W/0.051 Q /TO3P IRFP264FQA55N25(M
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Junction and Storage Temperature Range 温度范围:55~+150℃ 14N25场效应管/TO-220封装尺寸:14N25场效应管/TO-220F封装尺寸:14N25场效应管/TO-252封装尺寸:〈烜芯微/XXW〉专拆机测无电压输出,测出背光供电二极管SR33..和场效应管MDD14N25击穿…用SR5200和FQD20N60代换试机正常
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